2SK3313(Q)
Modelo do Produto 2SK3313(Q)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
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Número de peça do fabricante 2SK3313(Q) Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage Descrição MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
Pacote / Caso Bulk Quantidade Disponível 2590 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220NIS Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 620 mOhm @ 6A, 10V Dissipação de energia (Max) 40W (Tc)
Embalagem Bulk Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 10V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
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