| 2SJ304(F) | |
|---|---|
| Modelo do Produto | 2SJ304(F) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS |
| Quantidade Disponível | 2643 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 2SJ304(F).pdf |
| 2SJ304(F) Price |
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| Informações técnicas da 2SJ304(F) | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | 2SJ304(F) | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Descrição | MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS |
| Pacote / Caso | Bulk | Quantidade Disponível | 2643 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220NIS |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 120 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 40W (Tc) | Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V | Descrição detalhada | P-Channel 60V 14A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220NIS |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) | ||
| Download | 2SJ304(F) PDF - EN.pdf | ||
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| Ações 2SJ304(F) | Preço 2SJ304(F) | 2SJ304(F) Electronics | |||
| Componentes 2SJ304(F) | Inventário 2SJ304(F) | 2SJ304(F) Digikey | |||
| Fornecedor 2SJ304(F) | Ordem 2SJ304(F) Online | Inquérito 2SJ304(F) | |||
| Imagem 2SJ304(F) | Imagem 2SJ304(F) | 2SJ304(F) PDF | |||
| Folha de dados 2SJ304(F) | Download da folha de dados 2SJ304(F) | Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage | |||
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