| RFN10BM6SFHTL | |
|---|---|
| Modelo do Produto | RFN10BM6SFHTL |
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| Descrição | DIODE GEN PURP 600V 10A TO252 |
| Quantidade Disponível | 30994 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Folhas de dados | 1.RFN10BM6SFHTL.pdf2.RFN10BM6SFHTL.pdf3.RFN10BM6SFHTL.pdf4.RFN10BM6SFHTL.pdf5.RFN10BM6SFHTL.pdf6.RFN10BM6SFHTL.pdf7.RFN10BM6SFHTL.pdf8.RFN10BM6SFHTL.pdf |
| RFN10BM6SFHTL Price |
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| Informações técnicas da RFN10BM6SFHTL | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | RFN10BM6SFHTL | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | LAPIS Technology | Descrição | DIODE GEN PURP 600V 10A TO252 |
| Pacote / Caso | TO-252 | Quantidade Disponível | 30994 pcs |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.55 V @ 10 A | Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 600 V |
| Tecnologia | Standard | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-252 |
| Velocidade | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Série | Automotive, AEC-Q101 |
| Inversa de tempo de recuperação (trr) | 50 ns | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de Operação - Junção | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Atual - dispersão reversa @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Atual - rectificada média (Io) | 10A | Capacitância @ Vr, F | - |
| Número do produto base | RFN10 | ||
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