IXTP3N110 | |
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Modelo do Produto | IXTP3N110 |
Fabricante | IXYS Corporation |
Descrição | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 |
Quantidade Disponível | 2674 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | |
IXTP3N110 Price |
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Informações técnicas da IXTP3N110 | |||
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Número de peça do fabricante | IXTP3N110 | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
Fabricante | IXYS Corporation | Descrição | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 |
Pacote / Caso | Tube | Quantidade Disponível | 2674 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220AB | Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4 Ohm @ 1.5A, 10V | Dissipação de energia (Max) | 150W (Tc) |
Embalagem | Tube | Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Through Hole |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 1100V (1.1kV) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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