IXTP3N110
Modelo do Produto IXTP3N110
Fabricante IXYS Corporation
Descrição MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Quantidade Disponível 2674 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da IXTP3N110
Número de peça do fabricante IXTP3N110 Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante IXYS Corporation Descrição MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Pacote / Caso Tube Quantidade Disponível 2674 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 4 Ohm @ 1.5A, 10V Dissipação de energia (Max) 150W (Tc)
Embalagem Tube Caixa / Gabinete TO-220-3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1100V (1.1kV) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
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