IXST35N120B
Modelo do Produto IXST35N120B
Fabricante IXYS Corporation
Descrição IGBT 1200V 70A 300W TO268
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Informações técnicas da IXST35N120B
Número de peça do fabricante IXST35N120B Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante IXYS Corporation Descrição IGBT 1200V 70A 300W TO268
Pacote / Caso Tube Quantidade Disponível 2680 pcs
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 1200V Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 3.6V @ 15V, 35A
Condição de teste 960V, 35A, 5 Ohm, 15V Td (ligar / desligar) @ 25 ° C 36ns/160ns
Alternando Energia 5mJ (off) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-268
Série - Power - Max 300W
Embalagem Tube Caixa / Gabinete TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Tipo de entrada Standard Tipo de IGBT PT
portão de carga 120nC Atual - Collector Pulsada (ICM) 140A
Atual - Collector (Ic) (Max) 70A  
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