IXFP8N50P3
Modelo do Produto IXFP8N50P3
Fabricante IXYS Corporation
Descrição MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
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Informações técnicas da IXFP8N50P3
Número de peça do fabricante IXFP8N50P3 Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante IXYS Corporation Descrição MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Pacote / Caso Tube Quantidade Disponível 2615 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Série HiPerFET™, Polar3™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 800 mOhm @ 4A, 10V Dissipação de energia (Max) 180W (Tc)
Embalagem Tube Caixa / Gabinete TO-220-3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
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