IXFN66N85X
Modelo do Produto IXFN66N85X
Fabricante IXYS Corporation
Descrição 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Quantidade Disponível 2533 pcs new original in stock.
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Informações técnicas da IXFN66N85X
Número de peça do fabricante IXFN66N85X Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante IXYS Corporation Descrição 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Pacote / Caso Tube Quantidade Disponível 2533 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-227
Série HiPerFET™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 65 mOhm @ 33A, 10V
Dissipação de energia (Max) 830W (Tc) Embalagem Tube
Caixa / Gabinete SOT-227-4, miniBLOC Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 850V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
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