| SI7302DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SI7302DN-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrição | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
| Quantidade Disponível | 25887 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | |
| SI7302DN-T1-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SI7302DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SI7302DN-T1-GE3 | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrição | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
| Pacote / Caso | Tape & Reel (TR) | Quantidade Disponível | 25887 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
| Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 320 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | PowerPAK® 1212-8 | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 220V | Descrição detalhada | N-Channel 220V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) | ||
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