DMN3009SFGQ-13
Modelo do Produto DMN3009SFGQ-13
Fabricante Diodes Incorporated
Descrição MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
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Modelo ECAD
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Informações técnicas da DMN3009SFGQ-13
Número de peça do fabricante DMN3009SFGQ-13 Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante Diodes Incorporated Descrição MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
Pacote / Caso Tape & Reel (TR) Quantidade Disponível 3043 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor PowerDI3333-8
Série Automotive, AEC-Q101 RDS ON (Max) @ Id, VGS 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 900mW (Ta) Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 32 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 45A (Tc)
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Componentes DMN3009SFGQ-13Inventário DMN3009SFGQ-13DMN3009SFGQ-13 Digikey
Fornecedor DMN3009SFGQ-13Ordem DMN3009SFGQ-13 Online Inquérito DMN3009SFGQ-13
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