ES1JF R3G
Modelo do Produto ES1JF R3G
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
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Informações técnicas da ES1JF R3G
Número de peça do fabricante ES1JF R3G Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante Taiwan Semiconductor Descrição DIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
Pacote / Caso SMA-FL Quantidade Disponível 3306 pcs
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 1.7 V @ 1 A Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 600 V
Tecnologia Standard Embalagem do dispositivo fornecedor SMA-FL
Velocidade Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Série -
Inversa de tempo de recuperação (trr) 35 ns Caixa / Gabinete DO-221AC, SMA Flat Leads
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de Operação - Junção -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem Surface Mount Atual - dispersão reversa @ Vr 5 µA @ 600 V
Atual - rectificada média (Io) 1A Capacitância @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
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