| STW20NM65N | |
|---|---|
| Modelo do Produto | STW20NM65N |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3 |
| Quantidade Disponível | 4573 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Folhas de dados | STW20NM65N.pdf |
| STW20NM65N Price |
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| Informações técnicas da STW20NM65N | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | STW20NM65N | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricante | STMicroelectronics | Descrição | MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3 |
| Pacote / Caso | TO-247-3 | Quantidade Disponível | 4573 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-247-3 |
| Série | MDmesh™ II | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 160W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Número do produto base | STW20N | ||
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