STH180N4F6-2
Modelo do Produto STH180N4F6-2
Fabricante STMicroelectronics
Descrição MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
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Informações técnicas da STH180N4F6-2
Número de peça do fabricante STH180N4F6-2 Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante STMicroelectronics Descrição MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Pacote / Caso H2Pak-2 Quantidade Disponível 10200 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor H2Pak-2
Série STripFET™ F6 RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.4mOhm @ 60A, 10V
Status do produto Obsolete Dissipação de energia (Max) 190W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacote Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 25 V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Número do produto base STH180
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Fornecedor STH180N4F6-2Ordem STH180N4F6-2 Online Inquérito STH180N4F6-2
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