NSVMMUN2212LT1G | |
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Modelo do Produto | NSVMMUN2212LT1G |
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 |
Quantidade Disponível | 3061 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | NSVMMUN2212LT1G.pdf |
NSVMMUN2212LT1G Price |
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Informações técnicas da NSVMMUN2212LT1G | |||
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Número de peça do fabricante | NSVMMUN2212LT1G | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Descrição | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 |
Pacote / Caso | Tape & Reel (TR) | Quantidade Disponível | 3061 pcs |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V | Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased | Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Série | - | Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | Power - Max | 246mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes | NSVMMUN2212LT1G-ND NSVMMUN2212LT1GOSTR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Tempo de entrega padrão do fabricante | 24 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA | ||
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Ações NSVMMUN2212LT1G | Preço NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2212LT1G Electronics | |||
Componentes NSVMMUN2212LT1G | Inventário NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2212LT1G Digikey | |||
Fornecedor NSVMMUN2212LT1G | Ordem NSVMMUN2212LT1G Online | Inquérito NSVMMUN2212LT1G | |||
Imagem NSVMMUN2212LT1G | Imagem NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2212LT1G PDF | |||
Folha de dados NSVMMUN2212LT1G | Download da folha de dados NSVMMUN2212LT1G | Fabricante |
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