MTP50P03HDLG
Modelo do Produto MTP50P03HDLG
Fabricante onsemi
Descrição MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
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Informações técnicas da MTP50P03HDLG
Número de peça do fabricante MTP50P03HDLG Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante AMI Semiconductor/onsemi Descrição MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
Pacote / Caso TO-220 Quantidade Disponível 15365 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±15V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 25mOhm @ 25A, 5V
Status do produto Obsolete Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-220-3 Pacote Tube
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montagem Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 5 V
Tipo FET P-Channel Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Número do produto base MTP50
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Modelo do Produto

MTP50P03HDLG

Introdução

Power MOSFET para Aplicações de Comutação

Marca e Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

Modo de Melhoria P-Channel, Alta Velocidade de Comutação, Baixa Carga de Gate, Baixa Crss (Capacitância de Transferência Reversa)

Desempenho do Produto

Corrente de Drenagem Contínua: 50A, Alta Dissipação de Potência: 125W, Baixa Resistência em Condução: 25 mOhm, Comutação Rápida

Especificações Técnicas

Tipo de FET: P-Channel, Tensão Drenagem-Fonte (Vdss): 30V, Carga de Gate (Qg): 100nC, Capacitância de Entrada (Ciss): 4900pF

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote: TO-220-3, Forma: Retangular, Montagem em Buraco Passante, Embalagem: Tubo

Qualidade e Confiabilidade

Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL): 1 (Ilimitado)

Vantagens do Produto

Projetado para Aplicações de Comutação de Baixa Tensão e Alta Velocidade, Facilidade em Paralelizar Devido ao Coeficiente de Temperatura Positivo

Competitividade do Produto

Eficiente em Energia, Desempenho Térmico Robusto

Compatibilidade

Compatível com Tensão de Drive de MOSFET Padrão

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme RoHS, Livre de Chumbo

Duração e Sustentabilidade

Desempenho Sustentado na Faixa de Temperatura de Operação: -55°C a 150°C

Áreas de Aplicação

Gerenciamento de Energia, Conversores DC/DC, Controle de Motores, Comutação de Carga

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