| FQPF3N80C | |
|---|---|
| Modelo do Produto | FQPF3N80C |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrição | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
| Quantidade Disponível | 18500 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | FQPF3N80C.pdf |
| FQPF3N80C Price |
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| Informações técnicas da FQPF3N80C | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | FQPF3N80C | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Descrição | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
| Pacote / Caso | Tube | Quantidade Disponível | 18500 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220F |
| Série | QFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 39W (Tc) | Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 28 Weeks | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 25V | Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V | Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 800V |
| Descrição detalhada | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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