| FJNS3212RBU | |
|---|---|
| Modelo do Produto | FJNS3212RBU |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrição | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| Quantidade Disponível | 2514 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | FJNS3212RBU.pdf |
| FJNS3212RBU Price |
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| Informações técnicas da FJNS3212RBU | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | FJNS3212RBU | Categoria | Discrete Semiconductor Products |
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Descrição | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| Pacote / Caso | Bulk | Quantidade Disponível | 2514 pcs |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 40V | Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-92S |
| Série | - | Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Power - Max | 300mW | Embalagem | Bulk |
| Caixa / Gabinete | TO-226-3, TO-92-3 Short Body | Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 250MHz | Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA | ||
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