FDAF62N28
Modelo do Produto FDAF62N28
Fabricante onsemi
Descrição MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
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Informações técnicas da FDAF62N28
Número de peça do fabricante FDAF62N28 Categoria Produtos semicondutores discretos
Fabricante AMI Semiconductor/onsemi Descrição MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
Pacote / Caso TO-3PF Quantidade Disponível 21848 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-3PF
Série UniFET™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 51mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max) 165W (Tc) Caixa / Gabinete TO-3P-3 Full Pack
Pacote Tube Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4630 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 280 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Número do produto base FDAF62  
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