EMF18XV6T5G
Modelo do Produto EMF18XV6T5G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
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Modelo ECAD
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Informações técnicas da EMF18XV6T5G
Número de peça do fabricante EMF18XV6T5G Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrição TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Pacote / Caso Tape & Reel (TR) Quantidade Disponível 2685 pcs
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V, 60V Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-563
Série - Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Power - Max 500mW
Embalagem Tape & Reel (TR) Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 2 Weeks Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 140MHz Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA Número da peça base EMF
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