2SK4066-DL-1E
Modelo do Produto 2SK4066-DL-1E
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição MOSFET N-CH 60V 100A
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Informações técnicas da 2SK4066-DL-1E
Número de peça do fabricante 2SK4066-DL-1E Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrição MOSFET N-CH 60V 100A
Pacote / Caso Tape & Reel (TR) Quantidade Disponível 2663 pcs
VGS (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor TO-263-2
Série - RDS ON (Max) @ Id, VGS 4.7 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12500pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V Descrição detalhada N-Channel 60V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)  
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