1N5818G
Modelo do Produto 1N5818G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
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Informações técnicas da 1N5818G
Número de peça do fabricante 1N5818G Categoria Discrete Semiconductor Products
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrição DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
Pacote / Caso Bulk Quantidade Disponível 2671 pcs
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 550mV @ 1A Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 30V
Embalagem do dispositivo fornecedor Axial Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série - Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete DO-204AL, DO-41, Axial Outros nomes 1N5818G-ND
1N5818GOS
Temperatura de Operação - Junção -65°C ~ 125°C Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo Diode Schottky
Descrição detalhada Diode Schottky 30V 1A Through Hole Axial Atual - dispersão reversa @ Vr 1mA @ 30V
Atual - rectificada média (Io) 1A Capacitância @ Vr, F -
Número da peça base 1N5818  
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