MWI60-12T6K Comparar R5S76710B200BG
- MWI60-12T6K
- IXYS
- IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1
- R5S76710B200BG
- Renesas Electronics America Inc
- IC MCU 32BIT ROMLESS 256FBGA
Informação técnica
| Modelo do Produto | MWI60-12T6K | R5S76710B200BG |
|---|---|---|
| Fabricante | IXYS / Littelfuse | Renesas Technology Corp |
| Descrição | IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1 | IC MCU 32BIT ROMLESS 256FBGA |
| Quantidade Disponível | 2787 | 2620 |
| Folhas de dados | MWI60-12T6K.pdf | 1.ICM7218DIJI.pdf2.DS72060W200FPV.pdf |
| Download | ||
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 1200 V | |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic | 2.3V @ 15V, 35A | |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | E1 | 256-FBGA (17x17) |
| Série | - | SuperH® SH7670 |
| Power - Max | 200 W | |
| Caixa / Gabinete | E1 | 256-FBGA |
| Pacote | Box | Bulk |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) | -20°C ~ 70°C (TA) |
| NTC Thermistor | Yes | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | Surface Mount |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 2.53 nF @ 25 V | |
| Entrada | Standard | |
| Tipo de IGBT | Trench | |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500 µA | |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 58 A | |
| Configuração | Three Phase Inverter | |
| Número do produto base | MWI60 | R5S76710 |
| Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD) | 3.1V ~ 3.5V | |
| Velocidade | 200MHz | |
| Tamanho RAM | 32K x 8 | |
| Tipo de memória do programa | ROMless | |
| Tamanho da memória do programa | - | |
| periféricos | DMA, POR, PWM, WDT | |
| Tipo de oscilador | Internal | |
| Número de E / S | 94 | |
| EEPROM Tamanho | - | |
| conversores de dados | - | |
| Tamanho central | 32-Bit | |
| core Processor | SH2A-FPU | |
| conectividade | EBI/EMI, Ethernet, I²C, Host Interface, FIFO, SCI, SD, Serial Sound, Stream, USB |